金年会

3月18日，金年会联合第三代半导体产业技术创新战略联盟召开了SiC功率器件制造设备调研专家座谈会。金年会理事长、主任曹健林，中国工程院院士干勇，第三代半导体联盟理事长吴玲，中国科学院上海高等研究院研究员封松林，北京大学教授沈波和安世半导体全球研发副总裁姜克等二十多位领导和专家出席了会议。

座谈会上，封松林研究员介绍了SiC功率器件制造设备的调研背景，曹健林主任介绍了金年会对大功率半导体装备研发布局和成果，干勇院士强调了8英寸SiC功率器件设备布局的重要性。第三代半导体联盟副理事长杨富华研究员针对SiC功率器件制造设备前期调研结果作了详细报告，并对下一步调研工作计划作了介绍。专家组对8英寸SiC功率器件设备核心关键技术问题、重点研发任务和补短板建优势的对策建议作了深入交流和讨论，表示支持对SiC功率器件制造设备进行系统、全面的调研工作，为8英寸SiC功率器件设备研制做好准备。